ホットウォール法で作製したBiI₃膜のSEM写真

• 写真左　ｃ軸成長：基板温度T_sub＝65℃、ソース温度T_sou＝220℃
• 写真右　ａ軸成長：基板温度T_sub＝室温、ソース温度T_sou＝220℃

　BiI3は直接変換型X線撮像素子用のX線センサ膜の１つの候補として、最近研究した材料です。同じ目的で、これまでにCZT(CdZnTe)、PbI₂,TlBrなどを研究してきています。
　結晶は三方晶系で、c軸方向に隣接する沃素‐沃素原子の弱い結合をもち、この結果、成長条件によって、成長方向がa,c軸と極端に変化するのが見出されました。

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研究の初めの頃は、II-VI族を中心に各種化合物半導体の結晶を育成して、物性に及ぼす組成や化学量論的組成からの偏差などを制御して、物性との関連を明らかにしてきました。
近年は応用に目を向け、経験からこれはと思う化合物半導体材料に注目して、バルク結晶あるいは薄膜結晶を育成して、物性を調べ、これを何とか応用に結びつけようと考えています。
材料のキーワードは新しいX線撮像素子用材料、安価で作製容易な化合物太陽電池用材料です。

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2008年12月25日

望月研究室HP（暫定）開設

2009年01月06日

HP内容の調整

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